MRFX1K80H: 1800 W CW melebihi 1.8-400 MHz, Lebar Lebar 65 V RF Power LDMOS Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

MRFX1K80H: 1800 W CW melebihi 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor Penerangan MRFX1K80H adalah peranti pertama berdasarkan teknologi LDMOS 65 V baru yang memfokuskan pada kemudahan penggunaan. Transistor kekasaran tinggi ini direka untuk digunakan dalam aplikasi industri, saintifik dan perubatan VSWR yang tinggi, serta siaran TV radio dan VHF, aeroangkasa sub-GHz, dan aplikasi radio mudah alih. Reka bentuk input dan output yang tidak dapat ditandingi memungkinkan penggunaan jarak frekuensi yang luas dari 1.8 hingga 400 MHz. MRFX1K80H adalah serasi pin (PCB yang sama) dengan versi plastiknya MRFX1K80N, dengan MRFE6VP61K25H dan MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), dan dengan MRF1K50H dan MRF1K50N (1500 W @ 50 V). Ciri

detail

Previous:1 transistor RF asli PCS MRF454

Next:FMUSER Original Baru MRF1535NT1 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Harga (USD)	Kuantiti (PCS)	Penghantaran (USD)	Jumlah (USD)	Kaedah Penghantaran	Pembayaran
245	1	0	245	DHL
				DHL

MRFX1K80H: 1800 W CW melebihi 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

Penerangan Produk

MRFX1K80H adalah peranti pertama berdasarkan teknologi LDMOS 65 V baru yang memberi tumpuan kepada kemudahan penggunaan. Transistor kekasaran tinggi ini direka untuk digunakan pada tahap tinggi Aplikasi industri, saintifik dan perubatan VSWR, serta radio dan TV VHF siaran, aeroangkasa sub-GHz, dan aplikasi radio mudah alih. Inputnya yang tiada tandingannya dan reka bentuk output membolehkan penggunaan rentang frekuensi yang luas dari 1.8 hingga 400 MHz.MRFX1K80H adalah serasi pin (PCB yang sama) dengan versi plastiknya MRFX1K80N, dengan MRFE6VP61K25H dan MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), dan dengan MRF1K50H dan MRF1K50N (1500 W @ 50 V).

Ciri-ciri
●Berdasarkan teknologi LDMOS 65 V baru, yang dirancang untuk kemudahan penggunaan
●Dicirikan dari 30 hingga 65 V untuk julat kuasa yang diperluas
●Input dan output yang tidak dapat ditandingi
●Voltan pemecahan tinggi untuk kebolehpercayaan yang dipertingkatkan dan seni bina kecekapan yang lebih tinggi
●Keupayaan penyerapan tenaga longsor sumber longkang tinggi
●Kekasaran tinggi. Mengendalikan 65: 1 VSWR.
●mematuhi RoHS

●Pilihan rintangan haba yang lebih rendah dalam pakej plastik yang terlalu dibentuk: MRFX1K80N

Aplikasi

● Industri, saintifik, perubatan (ISM)
● Penjanaan laser
● Penjanaan plasma
● Pemecut zarah
● MRI, ablasi RF dan rawatan kulit
● Sistem pemanasan, pengelasan dan pengeringan industri
● Siaran radio dan TV VHF
● Aeroangkasa
● Komunikasi HF

● Radar

Pakej termasuk

1xMRFX1K80H Transistor RF Power LDMOS