FMUSER Original Baru MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband-RF Transistor-FMUSER FM / TV Penyiaran Satu-Stop Penyedia

FMUSER Original Baru MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Overview MRF6VP2600H direka terutamanya untuk aplikasi jalur lebar dengan frekuensi hingga 500 MHz. Peranti tidak dapat ditandingi dan sesuai digunakan dalam aplikasi siaran. Ciri * Prestasi DVB-T OFDM Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Purata, f = 225 MHz, Lebar Jalur Saluran = 7.61 MHz, Isyarat Input PAR = 9.3 dB @ 0.01% Kebarangkalian pada CCDF. Keuntungan Daya: 25 dB Kecekapan Saluran: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Lebar Jalur * Prestasi Bergerak Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Lebar Pulse = 100

detail

Previous:FMUSER Original Baru MRFE6VP61K25H RF Power Transistor High Power MOSFET Transistor LDMOS For 1000w FM Transmitter

Next:FMUSER Original New BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Harga (USD)	Kuantiti (PCS)	Penghantaran (USD)	Jumlah (USD)	Kaedah Penghantaran	Pembayaran
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Original MRF6VP2600H baru Transistor Kuasa RF MOSFET Transistor 500MHz 600W Jalur Lebar N-Saluran Lateral

Gambaran Keseluruhan

MRF6VP2600H direka terutamanya untuk aplikasi wideband dengan frekuensi sehingga 500 MHz. Peranti tidak dapat ditandingi dan sesuai digunakan untuk aplikasi penyiaran.

Ciri-ciri

* Prestasi DVB-T OFDM Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Purata, f = 225 MHz, Lebar Jalur Saluran = 7.61 MHz, Isyarat Input PAR = 9.3 dB @ 0.01% Kebarangkalian pada CCDF. : 25 dB Kecekapan Saluran: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Lebar Jalur

* Prestasi Pulsed Khas: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt Peak, f = 225 MHz, Lebar Nadi = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Keuntungan Daya: 25.3 dB Kecekapan Saluran: 59%

* Mampu Menangani 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, Power Peak Watt 600, Lebar Pulse = 100 μsec, Duty Cycle = 20%

* Diterjemahkan dengan Parameter Impedans Isyarat Besar Setara Bersiri

* Keupayaan Operasi CW dengan Penyejuk yang Adil

* Berkelayakan hingga Maksimum 50 VDD Operasi

* Bersepadu ESD Perlindungan

* Direka untuk Operasi Push-Pull

* Julat Voltan Rendah Sumber Negatif untuk Operasi Kelas C yang lebih baik

* RoHS Patuh

* Dalam Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, Reel inci 13.

spesifikasi

Kekerapan (Min) (MHz): 2

Kekerapan (Max) (MHz): 500

Voltan Bekalan (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Output Power (Typ) (W) @ Level Intermodulation at Test Signal: 125.0 @ AVG

Isyarat Ujian: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Kecekapan (Typ) (%): 28.5

Rintangan Termal (Spec) (℃ / W): 0.2

Pemadanan: tidak dapat ditandingi

Kelas: AB

Teknologi Die: LDMOS

Harga (USD)	Kuantiti (PCS)	Penghantaran (USD)	Jumlah (USD)	Kaedah Penghantaran	Pembayaran
245	1	35	280	DHL
				DHL

Previous:FMUSER Original Baru MRFE6VP61K25H RF Power Transistor High Power MOSFET Transistor LDMOS For 1000w FM Transmitter

Next:FMUSER Original New BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Tinggalkan pesanan

Senarai mesej

Comments Loading ...