FMUSER 1pcs Original Baru MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER 1pcs Original New MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor Penerangan: Direka untuk aplikasi komersial dan perindustrian jalur lebar dengan frekuensi 470 hingga 860 MHz. Keuntungan tinggi dan prestasi jalur lebar peranti ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi penguat isyarat besar, sumber biasa dalam peralatan pemancar televisyen analog atau digital 50 volt. - Prestasi DVB Khas - T OFDM: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watt Rata-rata, f = 860 MHz, Mode 8K, 64 QAM --Peningkatan Tenaga: 22.5 dB - Kecekapan Saluran ： 28% --ACPR @ 4 MHz Offset - 62 dBc @ 4 kHz Lebar Jalur - Prestasi Jalur Lebar Khas Dua - Nada: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Po

detail

Previous:FUMSER Original MRF154 Frekuensi Radio Logam Oksida Semikonduktor Medan Kesan Transistor

Next:FMUSER 1pcs TRANSISTOR RF MRF317 Baru Baru, TRANSISTOR POWER RF BROADBAND

Harga (USD)	Kuantiti (PCS)	Penghantaran (USD)	Jumlah (USD)	Kaedah Penghantaran	Pembayaran
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER 1pcs Asli Baru MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor

Penerangan:
Direka untuk aplikasi komersial dan industri jalur lebar dengan frekuensi 470 hingga 860 MHz. Keuntungan tinggi dan prestasi jalur lebar peranti ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi penguat sinyal besar, sumber biasa dalam 50 volt peralatan pemancar televisyen analog atau digital.

--Prestasi DVB - T OFDM Khas:
--VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 90 Watts Purata, f = 860 MHz, Mod 8K, 64 QAM
--Penguatan Kuasa: 22.5 dB
--Kecekapan Saliran: 28%
--ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc @ 4 kHz Lebar Jalur

--Prestasi Jalur Lebar Dua - Nada Khas:
--VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 Watt PEP, f = 470-860 MHz
--Penguatan Kuasa: 22 dB
--Kecekapan Saliran: 44%
--IM3: -29 dBc

--Mampu Mengendalikan VSWR 10: 1, Semua Sudut Fasa, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 Watt CW
--Purata 90 Watt (Isyarat DVB - T OFDM, PAR 10 dB, Lebar Jalur Saluran 7.61 MHz)

Ciri-ciri:
--Dikarakterisasi dengan Parameter Impedans Isyarat Besar - Bersamaan
--Input dalaman Dipadankan untuk Kemudahan Penggunaan
--Qualified hingga Maximum of 50 VDD Operation
--Bersepadu ESD Perlindungan
--Direka untuk Operasi Tolak - Tarik

--Greater Negative Gate - Julat Voltan Sumber untuk Operasi Kelas C yang Lebih Baik

--RoHS Patuh
--Dalam Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, Reel inci 13.
--R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, Reel inci 13.

Pakej termasuk:

Transistor 1 * MRF6VP3450H