FMUSER 1pcs TRANSISTOR RF MRF317 RF Baru, BRANADBAND RF POWER TRANSISTOR-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop

FMUSER 1pcs TRANSISTOR RF MRF317 RF Baru, BRANADBAND RF POWER TRANSISTOR Penerangan: Direka terutamanya untuk tahap penguat keluaran lebar jalur lebar dalam julat frekuensi 30 MHz. Prestasi Dijamin pada 200 MHz, Kuasa Output 150 Vdc 28 W Keuntungan Minimum = 100 dB Rangkaian Pencocokan BuiltIn untuk Operasi Jalur Lebar 9.0% Diuji untuk Ketidakpadanan Beban pada semua Sudut Fasa dengan Sistem Metallisasi Emas 100: 30 VSWR untuk Kebolehpercayaan Output Tinggi Kuasa Ketepuan Tinggi Sesuai Sesuai untuk Perkhidmatan Pembawa Am / Penguat 1 W Peak AM Prestasi Dijamin dalam Lekapan Uji Jalur Lebar PENILAIAN MAKSIMUM Pemungut Pungutan Pemungut Voltan Pemancar, Pemancar Voltan Dasar, Pemungut Voltan Dasar Pemungut Arus Pemungut Berterusan Semasa

detail

Previous:FMUSER 1pcs Asli Baru MRF6VP3450H Lateral N-Channel Jalur Lebar RF Power MOSFET Transistor

Next:FMUSER 1pcs TRANSISTOR RD70HVF1 Baru Baru

Harga (USD)	Kuantiti (PCS)	Penghantaran (USD)	Jumlah (USD)	Kaedah Penghantaran	Pembayaran
59	1	0	59	mel udara penghantaran
				mel udara penghantaran

FMUSER 1pcs TRANSISTOR RF MRF317 Baru Baru, TRANSISTOR POWER RF BROADBAND

Penerangan:
Direka terutamanya untuk tahap penguat output largesignal jalur lebar dalam julat frekuensi 30 MHz. Prestasi Dijamin pada 200 MHz, Kuasa Output 150 Vdc 28 W Keuntungan Minimum = 100 dB BuiltIn Matching Network untuk Operasi Jalur Lebar 9.0% Diuji untuk Ketidakcocokan Beban pada semua Sudut Fasa dengan Sistem Metallisasi Emas 100: 30 VSWR untuk Kebolehpercayaan Tinggi Output Tinggi Ketepuan Kuasa Sesuai Sesuai untuk Perkhidmatan Penguat / Pengembara Puncak AM 1 W yang Dijamin Prestasi dalam Ujian Jalur Lebar PERINGKAT MAKSIMUM
Pemungut PenarafanEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Arus Pemungut Berterusan Semasa Puncak (10 saat) Jumlah Pembuangan Peranti 25 ° C (1) Berat di atas 25 ° C Julat Suhu Penyimpanan Simbol VCEO VCBO VEBO IC PD PD Nilai Tstg ke +150 Unit Vdc Adc Watts W / ° C ° C
Rintangan Termal Ciri, Sambungan ke Simbol Kes RJC Max 0.65 Unit ° C / W

Spesifikasi:
●Atribut Produk Nilai Atribut Cari Sama
●Pengilang: FMUSER
●Kategori Produk: Transistor Bipolar RF
● jenama: FMUSER
●Jenis Produk: Transistor Bipolar RF

●Subkategori: Transistor

Ciri-ciri:
●KARAKTERISTIK ELEKTRIK: (TC = 25 ° C kecuali dinyatakan sebaliknya.)
●Keuntungan Daya Amplifier CommonEmitter: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Maks) = 6.5 Adc)
●Kecekapan Pemungut: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Maks) = 6.5 Adc) Ketidakcocokan Beban (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 semua sudut fasa)
●GPE Tiada Kemerosotan Daya Output dB%