FMUSER Original Baru MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Original Baru MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 direka terutamanya untuk aplikasi jalur lebar berdenyut dengan frekuensi hingga 150 MHz. Peranti tidak dapat ditandingi dan sesuai digunakan dalam aplikasi industri, perubatan dan saintifik. Ciri-ciri Prestasi Berputar Khas pada 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt Peak (Purata 200 W), Lebar Nadi = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Keuntungan Daya: 26 dB Kecekapan Saliran: 71 % Mampu Menangani 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watt Peak Power Disifatkan dengan Parameter Impedans Isyarat Besar Setara Kapasiti Operasi CW dengan Penyejukan yang Cukup Berkelayakan hingga Maksimum 50 VDD Operasi Bersepadu ESD Protect

detail

Previous:FMUSER Original Baru D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK

Next:FMUSER Original Baru MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Frekuensi Tinggi Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor

Harga (USD)	Kuantiti (PCS)	Penghantaran (USD)	Jumlah (USD)	Kaedah Penghantaran	Pembayaran
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Original Baru MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

FMUSER MRF6VP11KHR6 direka terutamanya untuk aplikasi jalur lebar berdenyut dengan frekuensi hingga 150 MHz. Peranti tidak dapat ditandingi dan sesuai digunakan dalam aplikasi industri, perubatan dan saintifik.

Ciri-ciri

Prestasi Pulsed Khas pada 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt Peak (Purata 200 W), Lebar Nadi = 100 µsec, Duty Cycle = 20%
Keuntungan Kuasa: 26 dB
Parit Kecekapan: 71%
Mampu Menangani 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Disifatkan dengan Parameter Impedans Tanda Isyarat Besar yang bersamaan
Keupayaan Operasi CW dengan Penyejuk yang Adil
Qualified hingga Maximum of 50 VDD Operation
Bersepadu ESD Perlindungan
Direka untuk Operasi Push-Pull
Julat Voltan Rendah Sumber Negatif untuk Operasi Kelas C yang lebih baik
RoHS Patuh
Dalam Pita dan Kekili. R6 Akhiran = 150 Unit per 56 mm, Kekili 13 inci

spesifikasi

Jenis Transistor: LDMOS
Teknologi: Si
Industri Aplikasi: ISM, Siaran
Permohonan: Ilmiah, Perubatan
CW / Pulse: CW
Kekerapan: 1.8 hingga 150 MHz
Kuasa: 53.01 dBm
Kuasa (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Daya Output Puncak: 1000 W
Lebar berdenyut: 100 kita
Duty_Cycle: 0.2
Keuntungan Kuasa (Gp): 24 hingga 26 dB
Pulangan Input: Kerugian: -16 hingga -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Kutuban: Saluran N
Voltan Bekalan: 50 V
Voltan Ambang: 1 hingga 3 Vdc
Voltan Kerosakan- Saliran-Sumber: 110 V
Voltan - Sumber Gerbang: (Vgs): - 6 hingga 10 Vdc
Kecekapan Saliran: 0.71
Arus Saliran: 150 mA
Impedans Zs: 50 Ohm
Rintangan Termal: 0.03 ° C / W
Pakej: Jenis: Flange
Pakej: CASE375D - 05 GAYA 1 NI - 1230--4
RoHS: Ya
Suhu Operasi: 150 Darjah C
Suhu Penyimpanan: -65 hingga 150 darjah C