Tambah Kegemaran set Homepage
jawatan:Laman Utama >> Produk >> RF Transistor

produk Kategori

produk Tags

Tapak Fmuser

FMUSER Original Baru MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Frekuensi Tinggi Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor

FMUSER Original Baru MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor FMUSER baru MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor yang direka terutamanya untuk keluaran jalur lebar dan aplikasi pemacu dengan frekuensi sehingga 450 MHz. Peranti tidak dapat ditandingi dan sesuai digunakan dalam aplikasi perindustrian, perubatan dan saintifik Butiran Produk: Nombor Bahagian: MRF6V2150NB Keterangan: Daya Lebar Jalur N-Saluran Single-End Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Ciri-ciri: Prestasi CW Khas pada 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt Pow

detail

Harga (USD) Kuantiti (PCS) Penghantaran (USD) Jumlah (USD) Kaedah Penghantaran Pembayaran
89 1 0 89 Penghantaran mel udara

 



FMUSER Original Baru MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Frekuensi Tinggi Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor






FMUSER MRF6V2150NB baru yang asli Transistor Kuasa RF Transistor MOSFET ddigunakan terutamanya untuk keluaran isyarat lebar dan aplikasi pemacudengan frekuensi hingga 450 MHz. Peranti tidak dapat ditandingi dan sesuai untukdigunakan dalam aplikasi industri, perubatan dan saintifik



Product Details:


PNombor seni: MRF6V2150NB

Penerangan: MOSFET RF Jalur Lebar Single-End Broadband N-Channel Lateral, 10-450 MHz, 150 W, 50 V



Ciri-ciri:


Prestasi CW Khas pada 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt
Keuntungan Kuasa: 25.5 dB
Kecekapan Saliran: 69%
Mampu Mengendalikan 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watt
Bersepadu ESD Perlindungan
Kestabilan terma Cemerlang
Memudahkan Kawalan Keuntungan Manual, ALC dan Teknik Modulasi
Pakej Plastik Berkapasiti 225 ° C
RoHS Patuh



Parameter Umum:


Jenis Transistor: LDMOS
Teknologi: Si
Industri Aplikasi: ISM, Siaran
Permohonan: Ilmiah, Perubatan
CW / Pulse: CW
Kekerapan: 10 hingga 450 MHz
Kuasa: 51.76 dBm
Kuasa (W): 149.97 W
Kuasa CW: 150 W
Keuntungan Kuasa (Gp): 23.5 hingga 26.5 dB
Kerugian Pulangan Input: -17 hingga -3 dB
VSWR: 10.00: 1
Kutuban: Saluran N
Voltan Bekalan: 50 V
Voltan Ambang: 1 hingga 3 Vdc
Voltan Pecah - Saliran-Sumber: 110 V
Voltan - Sumber Gerbang (Vgs): - 0.5 hingga 12 Vdc
Kecekapan Saliran: 0.683
Arus Saliran: 450 mA
Impedans Zs: 50 Ohm
Rintangan Termal: 0.24 ° C / W
Jenis Pakej: Flange
Pakej: KES 1484-04, GAYA 1 HINGGA - 272 WB - 4 PLASTIK
RoHS: Ya
Suhu Operasi: 150 Darjah C

Suhu simpanan: -65 hingga 150 darjah 



Pakej termasuk:
1x
MRF6V2150NB Transistor Kuasa RF



 

 

Harga (USD) Kuantiti (PCS) Penghantaran (USD) Jumlah (USD) Kaedah Penghantaran Pembayaran
89 1 0 89 Penghantaran mel udara

 

Tinggalkan pesanan 

Nama *
E-mel *
Telefon
Alamat
Kod Lihat kod pengesahan? Klik menyegarkan!
Mesej Anda
 

Senarai mesej

Comments Loading ...
Laman Utama| Pengenalan| Produk| Berita| muat turun| Khidmat Bantuan| Maklum Balas| Hubungi Kami| Servis

Hubungi: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mel: [e-mel dilindungi] 

Facebook: Youtube FMUSERBROADCAST: FMUSER ZOEY

Alamat dalam bahasa Inggeris: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Alamat dalam bahasa Cina: 广州市天河区黄埔大道西273号惠305兰阘(3E)